技術摘要
一種筆直直立奈米線陣列製造方法，可在非晶基板上合成筆直直立奈米線陣列結構，進而應用於抗反射表面、場發射顯示器及薄膜太陽能板，藉以提升其效能。本方法主要包括下列步驟：控制氣相沉積環境之一電子濃度及濃度梯度、各種離子濃度及濃度梯度、各種自由基(Radical)濃度、濃度梯度及傳輸方向。控制氣相沉積環境之一長晶熱源方向、基板溫度及基板周遭環境之溫度梯度。控制氣相沉積環境之一電位梯度。
一種筆直直立奈米線陣列製造方法，可在非晶基板上合成筆直直立奈米線陣列結構，進而應用於抗反射表面、場發射顯示器及薄膜太陽能板，藉以提升其效能。本方法主要包括下列步驟：控制氣相沉積環境之一電子濃度及濃度梯度、各種離子濃度及濃度梯度、各種自由基(Radical)濃度、濃度梯度及傳輸方向。控制氣相沉積環境之一長晶熱源方向、基板溫度及基板周遭環境之溫度梯度。控制氣相沉積環境之一電位梯度。