技術摘要
本發明提供一種可獨立存在的半導體奈米層狀結構，其包含至少一半導體奈米線膜，半導體奈米線膜由多數獨立成形之半導體奈米線彼此以特定或任意角度交織排列而形成。本發明並提供一種半導體奈米層狀結構的製作方法，先在第一基板上合成一半導體奈米線陣列，再以一具有一吸附表面的第二基板與第一基板壓合，令半導體奈米線斷裂壓擠形成一緻密的半導體奈米層狀結構，並進行離膜程序，令半導體奈米層狀結構脫離第一及第二基板，再進行一局部電焦耳熱鍵結熔合，令半導體奈米層狀結構之各半導體奈米線彼此熔接或各半導體奈米層狀結構彼此熔接。